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 Performance of Sub-5 nm field-effect transistors based on ZrS2/NbTe2 heterojunction from quantum transport simulations 相关领域
异质结
材料科学
光电子学
电介质
晶体管
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电容
半导体
工作（物理）
单层
量子电容
逻辑门
量子阱
量子
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半导体器件
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期刊：Chinese Journal of Physics 作者：Songyang Li; Xu Li; Jingjun Chen; Zelong Ma; Danni Wang; et al 出版日期：2025-09-28 |
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