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标题
Dependence of reverse leakage on the edge termination process in vertical GaN power device
垂直GaN功率器件中反向泄漏对边缘端接工艺的依赖性
相关领域
材料科学 泄漏（经济） 光电子学 沟槽 MOSFET 晶体管 浅沟隔离 栅氧化层 功率半导体器件 电气工程 电压 纳米技术 工程类 宏观经济学 经济 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/aca7da
AI链接 qucosa.dedoi.org
DOI
10.1088/1361-6641/aca7da doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Tailang Xie; Cláudia da Silva; Nadine Szabó; Thomas Mikolajick; Andre Wachowiak
出版日期：2022-12-01
求助人
沪橙 在 2025-12-06 08:39:03 发布自湖北，悬赏 10 积分
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