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标题
Over 10W/mm High Power Density AlGaN/GaN HEMTs With Small Gate Length by the Stepper Lithography for Ka-Band Applications
用于Ka波段应用的10W/mm以上高功率密度小栅极长度AlGaN/GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 步进电机 跨导 材料科学 光电子学 光刻 击穿电压 薄脆饼 氮化镓 平版印刷术 晶体管 物理 电压 纳米技术 量子力学 图层（电子）
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/10049274/10129122....
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2023.3277796 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Ming-Wen Lee; Yueh-Chin Lin; Po-Sheng Chang; Yi‐Fan Tsao; Heng‐Tung Hsu; et al
出版日期：2023-01-01
求助人
追风筝的人 在 2025-12-04 18:21:14 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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