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Comparative Analysis of In0.15Ga0.85N and β-Ga2O3 Back Barriers in β-Ga2O3-Buffered AlGaN/GaN HEMT Structures for High-Speed RF Electronics
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| 其它 |
Jiavana, KFK; Bha, JKK; (...); Natarajan, R Jan 2026 PHYSICS OF THE SOLID STATE 68(1), pp.50-63 |
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(2025-6-4)
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