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Low VF 4H-SiC N-i-P diodes using newly developed low-resistivity p-type substrates |
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Akihiro Koyama; M. Sometani; Kensuke Takenaka; K. Nakayama; A. Miyasaka; et al 出版日期:2019-09-03 |
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(2025-6-4)