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 Understanding tunneling electroresistance effect through potential profile in Pt/Hf0.5Zr0.5O2/TiN ferroelectric tunnel junction memory 从Pt/Hf0.5Zr0.5O2/TiN铁电隧道结存储器的电位分布看隧道电阻效应
相关领域
材料科学
铁电性
量子隧道
锡
光电子学
非易失性存储器
压电响应力显微镜
半导体
导电原子力显微镜
薄膜
氧化物
纳米技术
电介质
原子力显微镜
冶金
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jong‐Gul Yoon; Seunghyeon Hong; Yong Won Song; Ji‐Hoon Ahn; Seung‐Eon Ahn 出版日期：2019-10-07 |
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