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 Significant improvement of ferroelectricity and reliability in Hf0.5Zr0.5O2 films by inserting an ultrathin Al2O3 buffer layer 超薄Al2O3缓冲层显著改善Hf0.5Zr 0.5 O2薄膜的铁电性和可靠性
相关领域
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光电子学
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期刊：Applied Surface Science 作者：Haiyan Chen; Lin Tang; Leyang Liu; Yonghong Chen; Hang Luo; et al 出版日期：2020-12-11 |
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