Direct epitaxy of high-quality a-plane GaN on r-plane sapphire substrate using patterned SiO₂ mask

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标题	Direct epitaxy of high-quality a-plane GaN on r-plane sapphire substrate using patterned SiO₂ mask
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092583882...
DOI	10.1016/j.jallcom.2025.183071 doi
其它	期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Yuanhao Huang; Yimeng Song; Yonghao Liu; Haiqiang Jia; Wenxin Wang; et al 出版日期：2025-08-15
求助人	柔弱小霸王在 2026-08-17 14:52:21 发布自中国，悬赏 10 积分
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