| 标题 |
 In-Situ Boron Doped SiGe Epitaxy Optimization for FinFET Source/Drain 相关领域
硼
兴奋剂
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相图
锗
硅锗
晶体管
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相（物质）
硅
电气工程
电压
化学
计算机科学
图层（电子）
工程类
有机化学
计算机图形学（图像）
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| DOI |
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10.1149/07508.0265ecst
Doi
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| 其它 |
期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：Yi Qi; Jianwei Peng; Hsien-Ching Lo; Judson Robert Holt; Michael Willemann; et al 出版日期：2016-09-01 |
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