Hydrogen Fluoride Vapor Etching of SiO2 Sacrificial Layer with Single Etch Hole

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标题	Hydrogen Fluoride Vapor Etching of SiO2 Sacrificial Layer with Single Etch Hole
网址	https://doi.org/10.46670/jsst.2023.32.5.328
DOI	10.46670/jsst.2023.32.5.328 doi
其它	期刊：Journal of Sensor Science and Technology 作者：Chayeong Kim; Eunsik Noh; Kumjae Shin; Wonkyu Moon 出版日期：2023-09-30
求助人	小黑点在 2026-07-23 14:29:35 发布自中国，悬赏 10 积分
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