| 标题 |
[求助补充材料]
 Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects 相关领域
量子隧道
材料科学
磷烯
光电子学
领域（数学）
凝聚态物理
隧道场效应晶体管
场效应晶体管
晶体管
带隙
电流（流体）
物理
量子力学
电压
热力学
纯数学
数学
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| 备注 |
需要这个缺陷器件的器件模型
💡 该求助存在备注，如果存在信息冲突，请以备注为准
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Juan Lu; Zhi-Qiang Fan; Jian Gong; Jie-Zhi Chen; Huhe ManduLa; et al 出版日期：2018-01-01 |
| 求助人 | |
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