| 标题 |
 Low-Temperature Growth of High-Quality SiC Single Crystals via TSSG from Si–Nd–C Melt: Multiphysics Simulation and Experimental Validation 相关领域
过饱和度
溶解度
材料科学
碳化硅
晶体生长
Crystal（编程语言）
碳纤维
多物理
碳化物
工作（物理）
分析化学（期刊）
硅
大气温度范围
单晶
化学工程
溶剂
晶种
钕
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| 其它 |
期刊：Crystal Growth & Design 作者：Guangxin Zhang; Hao Yang; Tai Li; Mengmeng Yuan; Kai Liu; et al 出版日期：2025-12-08 |
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(2025-6-4)
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