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Time-Dependent Dielectric Breakdown of 4H-SiC/$ \hbox{SiO}_{2}$ MOS Capacitors
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网址
http://dx.doi.org/10.1109/tdmr.2008.2001182
DOI
10.1109/tdmr.2008.2001182 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者：Moshe Gurfinkel; Justin C. Horst; John S. Suehle; Joseph B. Bernstein; Yoram Shapira; et al
出版日期：2008-12-01
求助人
李q 在 2026-08-27 09:08:44 发布自江苏，悬赏 10 积分
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