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Degradation of 2.4-kV Ga2O3 Schottky Barrier Diode at High Temperatures Up to 500 ∘C |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Hunter D. Ellis; Wei Jia; Imteaz Rahaman; A. M. Hillas; Botong Li; et al 出版日期:2025-01-01 |
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(2025-6-4)