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 Evidence of Oxygen Vacancy Generation as Physical Origin of Endurance Fatigue of Si FeFET With TiN/Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$/SiO$_{\textit{x}}$/Si Gate-Stacks 氧空位产生是具有TiN/Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$/SiO$_{\text{x}}$/Si栅极堆叠的Si FeFET持久疲劳的物理起源的证据
相关领域
锡
空位缺陷
材料科学
硅
光电子学
结晶学
凝聚态物理
物理
冶金
化学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xianzhou Shao; Junshuai Chai; Fengbin Tian; Xiaoyu Ke; Min Liao; et al 出版日期：2024-01-01 |
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