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 Influence of ion-beam etching by Ar ions with an energy of 200–1000 eV on the roughness and sputtering yield of a single-crystal silicon surface 相关领域
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| 其它 | M. S. Mikhailenko, A. E. Pestov, N. I. Chkhalo, M. V. Zorina, A. K. Chernyshev, N. N. Salashchenko, and I. I. Kuznetsov |
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