| 标题 |
 Design and study of SrSnX2 (X=N, P, Sb, As, Bi) semiconductors using density functional theory SrSnX2（X=N，P，Sb，As，Bi）半导体的密度泛函设计与研究
相关领域
密度泛函理论
材料科学
带隙
半导体
光伏
开路电压
光电子学
光伏系统
电压
计算化学
化学
物理
生态学
量子力学
生物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Optik 作者：Aditi Gaur; B.R. Bhagat; Jagrati Sahariya; Amit Soni; Alpa Dashora 出版日期：2022-10-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
极限001
DW
秋风
学术文献互助
wangyumumu
v0id
潇洒的惋清
xing_xing
aaaa
璐璐
OK
aajhajkahna
Dean
林狗
初景
乐空思
行走的荷尔蒙
科研狗
aaaKumaINmyMIND
皖公网安备34019202002308
