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标题
Design and Performance Assessment of HfO2/SiO2 Gate Stacked Ge/Si Heterojunction TFET on SELBOX Substrate (GSHJ-STFET)
SELBOX衬底上HfO2/SiO2栅堆叠Ge/Si异质结TFET（GSHJ-STFET）的设计与性能评估
相关领域
材料科学 跨导 阈下摆动 光电子学 异质结 离子 基质（水族馆） 增益-带宽产品 阈值电压 电压 晶体管 放大器 CMOS芯片 电气工程 运算放大器 物理 地质学 工程类 海洋学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-022-01898-y
DOI
10.1007/s12633-022-01898-y doi
其它 期刊：Silicon
作者：Ashish Kumar Singh; Manas Ranjan Tripathy; Kamalaksha Baral; Satyabrata Jit
出版日期：2022-05-02
求助人
六里桥卖糖葫芦的 在 2025-08-30 18:27:48 发布，悬赏 10 积分
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