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 Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reactions of PH3and Si2H6on strained Si1−xGex/Si(1 0 0) in ultraclean low-pressure CVD 超净低压CVD中Ph3和Si2H6在应变Si1-xGex/Si（1 0 0）上交替表面反应外延生长P原子层掺杂Si薄膜
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yohei Chiba; Masao Sakuraba; Junichi Murota 出版日期：2006-12-06 |
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