| 标题 |
  Reduction of efficiency droop in c-plane InGaN/GaN light-emitting diodes using a thick single quantum well with doped barriers 使用具有掺杂势垒的厚单量子阱降低c面InGaN/GaN发光二极管的效率下降
相关领域
光电子学
发光二极管
材料科学
电压降
兴奋剂
量子阱
量子效率
二极管
激发态
光电流
凝聚态物理
物理
光学
原子物理学
电压
量子力学
分压器
激光器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Yi Chao Chow; Cheyenne Lynsky; Feng Wu; Shuji Nakamura; S. P. DenBaars; et al 出版日期：2021-11-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
老的火龙果
GingerF
the_coco
cdercder
DW
12Nightz
悦耳的怀寒
OK
369ninja
Nole
罗Eason
郢儿
初景
秋风
无极微光
Criminology34
斯文的白玉
cccx
Anonymous
XX
皖公网安备34019202002308
