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  Reduction of efficiency droop in c-plane InGaN/GaN light-emitting diodes using a thick single quantum well with doped barriers 使用具有掺杂势垒的厚单量子阱降低c面InGaN/GaN发光二极管的效率下降
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yi Chao Chow; Cheyenne Lynsky; Feng Wu; Shuji Nakamura; S. P. DenBaars; et al 出版日期：2021-11-29 |
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