A 4H-SiC semi-super-junction shielded trench MOSFET: p-pillar is grounded to optimize the electric field characteristics

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标题	A 4H-SiC semi-super-junction shielded trench MOSFET: p-pillar is grounded to optimize the electric field characteristics 相关领域沟槽材料科学电场 MOSFET 浅沟隔离光电子学晶体管耗尽区电气工程图层（电子）半导体复合材料电压工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/43/12/122802
DOI	10.1088/1674-4926/43/12/122802 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Xiaojie Wang; Zhanwei Shen; Guoliang Zhang; Yuyang Miao; Tiange Li; et al 出版日期：2022-12-01
求助人	XIAO 在 2026-01-05 17:56:18 发布自湖南，悬赏 10 积分
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