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 Design and Simulation of Symmetrical Dual Gate on Drain Side with Overlapped and Underlapped Regions of TFET TFET漏极侧对称双栅极的设计与仿真
相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
硅
隧道场效应晶体管
栅氧化层
金属浇口
场效应晶体管
纳米技术
电气工程
电压
工程类
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期刊：Silicon 作者：Tallapaneni Naga Swathi; V. Megala 出版日期：2022-07-19 |
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