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Electrical parameters and low-frequency noise of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with different channel orientation 不同沟道取向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的电参数和低频噪声
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期刊:Solid-State Electronics 作者:Maria Glória Caño de Andrade; Carlos Roberto Nogueira; Nilton Graciano Júnior; Rodrigo T. Doria; Renan Trevisoli; et al 出版日期:2023-11-02 |
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