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 Threshold Voltage Stability in AlGaN/GaN MIS-HEMT Structure Under Cryogenic Environment 低温环境下AlGaN/GaN MIS-HEMT结构的阈值电压稳定性
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yi-Ho Chen; Fu-Chuan Chu; M. Uma; Muhammad Aslam; Yao‐Jen Lee; et al 出版日期：2024-09-25 |
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