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Simulation of transient radiation upset in a 0.18-μm CMOS SRAM by accurately modeling a 6T memory cell 相关领域
静态随机存取存储器
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:Zhenguo Zhao; Guang-Rong Li; Xiaolin Meng; Fang Yang; Xuan Zeng 出版日期:2022-09-30 |
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