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532–2200 nm Si Schottky Photodetectors Featuring Nonuniform Barrier Layers |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Yongkang Ge; Zhiwei Huang; Meihua Yang; Xiaolong Jiang; Junfeng Yang; et al 出版日期:2025 |
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(2025-6-4)