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 Improved synaptic performances with tungsten-doped indium-tin-oxide alloy electrode for tantalum oxide-based resistive random-access memory devices 钨掺杂氧化铟锡合金电极改善钽基电阻随机存取存储器的突触性能
相关领域
材料科学
电阻随机存取存储器
光电子学
氧化铟锡
氮化钛
电极
纳米技术
氮化物
薄膜
图层（电子）
化学
物理化学
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期刊：Advanced composites and hybrid materials 作者：Chandreswar Mahata; Juyeong Pyo; Beomki Jeon; Muhammad Ismail; Janghyuk Moon; et al 出版日期：2023-07-28 |
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