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Improved synaptic performances with tungsten-doped indium-tin-oxide alloy electrode for tantalum oxide-based resistive random-access memory devices

材料科学 电阻随机存取存储器 光电子学 氧化铟锡 氮化钛 电极 纳米技术 氮化物 薄膜 图层(电子) 化学 物理化学
作者
Chandreswar Mahata,Juyeong Pyo,Beomki Jeon,Muhammad Ismail,Janghyuk Moon,Sungjun Kim
出处
期刊:Advanced composites and hybrid materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:6 (4) 被引量:22
标识
DOI:10.1007/s42114-023-00713-5
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