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 Ion implantation of aluminum in 4H-SiC epilayers from 90 keV to above 1 MeV 从90keV到1meV以上的4H-SiC外延层中铝的离子注入
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Ling Sang; Jinghua Xia; Rui Jin; Yaohua Wang; Yiying Zha; et al 出版日期：2020-09-22 |
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