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 Characterization of 4H-SiC Epitaxial Layers and High-Resistivity Bulk Crystals for Radiation Detectors 辐射探测器用4H-SiC外延层和高电阻率块体晶体的表征
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Krishna C. Mandal; Peter G. Muzykov; Ramesh M. Krishna; J. R. Terry 出版日期：2012-07-10 |
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