Enhancement-mode GaN p-FET with p-NiO/p-GaN heterojunction gate featuring improved threshold voltage stability and channel conductivity based on low interface trap density

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标题	Enhancement-mode GaN p-FET with p-NiO/p-GaN heterojunction gate featuring improved threshold voltage stability and channel conductivity based on low interface trap density
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0315801
DOI	10.1063/5.0315801 doi
求助人	waitingfor 在 2026-09-27 20:56:22 发布自江苏，悬赏 10 积分
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