(Invited) Factors Impacting Threshold Voltage in Advanced CMOS Integration: Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)

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标题	(Invited) Factors Impacting Threshold Voltage in Advanced CMOS Integration: Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI) 高级CMOS集成中影响阈值电压的因素：栅极优先（FINFET）与栅极优先（FDSOI）相关领域 CMOS芯片阈值电压电气工程光电子学栅极电压电子工程电压材料科学计算机科学工程类晶体管
网址	https://doi.org/10.1149/ma2015-02/18/821
DOI	10.1149/ma2015-02/18/821 doi
其它	期刊：Meeting abstracts 作者：出版日期：2015-01-01
求助人	研友_Z7XO48 在 2023-10-24 12:10:59 发布自上海，悬赏 10 积分
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