Electron and Hole Trapping Characteristics of a Low-Temperature Atomic Layer-Deposited HfO2 Charge-Trap Layer for Charge-Trap Flash Memory

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标题	Electron and Hole Trapping Characteristics of a Low-Temperature Atomic Layer-Deposited HfO2 Charge-Trap Layer for Charge-Trap Flash Memory
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.4c02274
DOI	10.1021/acsaelm.4c02274 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Taeyun Noh; Jimin Han; Boyoung Jeong; Jae-Gwan Park; Kihyeun Kim; et al 出版日期：2025-02-13
求助人	zhu 在 2026-06-16 17:02:30 发布自四川，悬赏 10 积分
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