Deep-level traps induced dark currents in extended wavelength InxGa1−xAs/InP photodetector

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标题	Deep-level traps induced dark currents in extended wavelength InxGa1−xAs/InP photodetector 相关领域材料科学 X射线吸收光谱法响应度异质结光电流量子阱光电导性光电二极管
网址	https://doi.org/10.1063/1.4838041
DOI	10.1063/1.4838041 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Xiaoli Ji; Baiqing Liu; Yue Xu; Hengjing Tang; Xue Li; et al 出版日期：2013
求助人	扬大小汤在 2021-11-15 20:10:11 发布，悬赏 10 积分
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