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Transition from weak antilocalization to linear magnetoresistance by tuning structure geometry and chemical potential in nanostructured Bi2Se3 films 通过调节纳米结构Bi2Se3薄膜的结构几何形状和化学势从弱反局域化到线性磁阻的转变
相关领域
磁电阻
拓扑绝缘体
材料科学
凝聚态物理
兴奋剂
弱局部化
化学气相沉积
表面状态
薄膜
纳米技术
光电子学
磁场
几何学
曲面(拓扑)
物理
数学
量子力学
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期刊:Journal of Solid State Chemistry 作者:Mingze Li; Zhenhua Wang; Xudong Shi; Tingting Li; Xuan Gao; et al 出版日期:2023-09-07 |
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