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 Island-ohmic-PGaN Gate HEMT: Toward Steep Subthreshold Swing and Enhanced Threshold Stability 岛欧姆-PGaN栅极HEMT：朝向陡峭的亚阈值摆动和增强的阈值稳定性
相关领域
欧姆接触
高电子迁移率晶体管
光电子学
电气工程
材料科学
晶体管
物理
纳米技术
电压
工程类
图层（电子）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xinyue Dai; Qimeng Jiang; Sen Huang; Chao Feng; Zhongchen Ji; et al 出版日期：2024-04-18 |
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