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 Normally-OFF Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on 8 in. Si with Low Leakage Current and High Breakdown Voltage (825 V) 8英寸的常断Al 2 O3/LGA/GaNMOS-HEMT硅具有低漏电流和高击穿电压（825 V）
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
阈下传导
击穿电压
阈值电压
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晶体管
泄漏（经济）
电压
电气工程
经济
宏观经济学
工程类
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