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Fabrication and characterization of metal-ferroelectric (PbZr0.53Ti0.47O3)-Insulator (Y2O3)-semiconductor field effect transistors for nonvolatile memory applications
用于非易失性存储器应用的金属-铁电(PbZr0.53Ti 0.47 O3)-绝缘体(Y2O3)-半导体场效应晶体管的制备和表征
相关领域
材料科学 光电子学 铁电性 晶体管 非易失性存储器 绝缘体（电） 场效应晶体管 肖特基二极管 阈值电压 制作 泄漏（经济） 肖特基势垒 半导体 电压 电气工程 电介质 二极管 替代医学 病理 工程类 经济 宏观经济学 医学
网址
https://doi.org/10.1063/1.2924434
DOI
10.1063/1.2924434 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Wen-Chieh Shih; Pi-Chun Juan; Joseph Ya‐min Lee
出版日期：2008-05-01
求助人
火星上的若颜 在 2025-05-27 22:58:19 发布自山东，悬赏 10 积分
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