| 标题 |
 Heavy-Ion-Induced Gate–Source Damage at High Drain Bias in SiC Power MOSFET 相关领域
材料科学
光电子学
MOSFET
功率MOSFET
碳化硅
功率半导体器件
功率（物理）
场效应晶体管
电气工程
电子工程
降级（电信）
电容
宽禁带半导体
逻辑门
硅
可靠性（半导体）
电击穿
半导体器件建模
晶体管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Leshan Qiu; Yun Bai; Jiale Wang; Jieqin Ding; Xiaoli Tian; et al 出版日期：2026-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
东方元语
cdercder
呵呵
张欢馨
OK
昏睡的蟠桃
MozzieMiao
Kao
aajhajkahna
xing_xing
可爱的小paper
cat
v0id
认真芷容
sagitar
yjh123
Nexus
丰富语蕊
七听
皖公网安备34019202002308
