| 标题 |
 Analysis on two breakdown failure mechanisms of silicon carbide MOSFET devices with abnormally increased leakage current at low voltage 相关领域
材料科学
碳化硅
光电子学
MOSFET
低压
外延
泄漏（经济）
硅
灾难性故障
功率MOSFET
电子工程
工程物理
高压
碳化物
半导体
电压
雪崩击穿
电力电子
击穿电压
功率半导体器件
透射电子显微镜
反向漏电流
电场
半导体器件
电气工程
法律工程学
六方晶系
宽禁带半导体
电气故障
拉曼光谱
撞击电离
失效机理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Diamond and Related Materials 作者：Lingling Lai; Yingxin Cui; Zicheng Lu; Fanpeng Zeng; Jisheng Han 出版日期：2025-12-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
馆长
GingerF
123
Criminology34
OK
积极的越彬
cdercder
东方元语
yz
渡人舟
琉月
幻影猫
heekkll
牧青
mmyhn
唠叨的无敌
昏睡的翠霜
陌上
初景
皖公网安备34019202002308
