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Improved analog performance of FDSOI based NCFET with a ferroelectric–paraelectric–dielectric gate stack 具有铁电-顺电-介质栅极堆叠的FDSOI基NCFET模拟性能的改进
相关领域
铁电性
电介质
材料科学
磁滞
电容
凝聚态物理
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物理
化学
物理化学
电极
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Harshit Kansal; Aditya Medury 出版日期:2022-08-16 |
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