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标题
Epitaxial Strain Control of HfxZr1-xO2 with Sub-nm IGZO Seed Layer Achieving EOT=0.44 nm for DRAM Cell Capacitor
用于DRAM单元电容器的具有亚纳米IGZO籽晶层的HfxZr1-xO2的外延应变控制实现EOT=0.44nm
相关领域
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网址
http://dx.doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10...
DOI
10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185400 doi
其它 期刊：
作者：Seongho Kim; Young Keun Park; Gyu Soup Lee; Eui Joong Shin; Woon San Ko; et al
出版日期：2023-06-11
求助人
珍宝 在 2025-12-25 21:36:55 发布自吉林，悬赏 10 积分
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