| 标题 |
CO2 Reduction Reactivity on the SiC Monolayer with Doped Topological Defects 相关领域
单层
反应性(心理学)
还原(数学)
兴奋剂
拓扑(电路)
材料科学
结晶学
化学
纳米技术
光电子学
数学
组合数学
几何学
医学
病理
替代医学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Energy & Fuels 作者:Wallace P. Morais; Guilherme J. Inacio; Eduardo Alves de Almeida; Fábio A. L. de Souza; F.N.N. Pansini; et al 出版日期:2025-03-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|