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 Effect of the Si Doping Content in HfO2 Film on the Key Performance Metrics of Ferroelectric FETs 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Halid Mulaosmanovic; Stefan Dünkel; Dominik Kleimaier; Amine El Kacimi; Sven Beyer; et al 出版日期：2021-08-04 |
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