| 标题 |
  Improved DC and RF Characteristics of GaN HEMT Using a Back-Barrier and Locally Doped Barrier Layer 相关领域
阻挡层
高电子迁移率晶体管
跨导
材料科学
截止频率
光电子学
饱和电流
兴奋剂
无线电频率
电子
图层（电子）
电气工程
晶体管
纳米技术
电压
物理
工程类
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Shuxiang Sun; Lulu Liu; Gangchuan Qu; Xintong Xie; J. Ajayan 出版日期：2025-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
null
吃葡萄不吐葡萄皮
学霸业
GingerF
Criminology34
Elsevier大王
My_magnum_opus
Chinno
sanvva
deli
华无剑
Nole
lx
v0id
麦咕咕
EeeeW
核桃
荼黎
七听
皖公网安备34019202002308
