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  HCl-based halide vapor phase epitaxy and selective-area HCl gas etching of (−112) β-Ga 2 O 3 相关领域
卤化物
蚀刻（微加工）
材料科学
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期刊：Science and Technology of Advanced Materials 作者：Takayoshi Oshima; Yuichi Oshima 出版日期：2026-07-15 |
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