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 Effect of gallium doping on structural and transport properties of the topological insulator Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy 镓掺杂对分子束外延生长拓扑绝缘体Bi2Se3结构和输运性质的影响
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：D.M.S. Brito; Ana Pérez-Rodríguez; Ishwor Khatri; Carlos J. Tavares; M. Amado; et al 出版日期：2022-09-19 |
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