| 标题 |
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
相关领域
德拉姆
锡
原子层沉积
材料科学
泄漏(经济)
电容器
光电子学
电极
动态随机存取存储器
沉积(地质)
纳米技术
电子工程
电气工程
薄膜
电压
化学
冶金
工程类
沉积物
经济
古生物学
物理化学
宏观经济学
半导体存储器
生物
|
| 网址 |
AI链接 ugent.be |
| DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
| 其它 |
期刊: 作者:N. Menou; Wang Xp; B. Kaczer; W. Polspoel; M. Popovici; et al 出版日期:2008-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)