A Novel Shield Gate 4H-SiC MOSFET with Reduced Reverse Recovery Losses

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标题	A Novel Shield Gate 4H-SiC MOSFET with Reduced Reverse Recovery Losses 降低反向恢复损耗的新型屏蔽栅4H-SiC MOSFET 相关领域材料科学光电子学 MOSFET 肖特基二极管二极管栅氧化层护盾可靠性（半导体）碳化硅电气工程电压晶体管复合材料工程类功率（物理）地质学物理量子力学岩石学
网址	https://doi.org/10.4028/p-765sln
DOI	10.4028/p-765sln doi
其它	期刊：Materials Science Forum 作者：Daoping Peng; Quan Yuan Feng 出版日期：2023-05-18
求助人	daxiangjiao 在 2025-09-08 11:08:25 发布自天津，悬赏 30 积分
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