| 标题 |
Full-SiC Single-Chip High-Side and Low-Side Dual-MOSFET for Ultimate Power Vertical Integration – Basic Concept and Technology 用于终极功率垂直集成的全SiC单芯片高端和低端双MOSFET-基本概念和技术
相关领域
薄脆饼
终端(电信)
材料科学
蚀刻(微加工)
MOSFET
炸薯条
功率(物理)
功率半导体器件
功率MOSFET
光电子学
绝缘体上的硅
计算机科学
电气工程
电子工程
晶体管
工程类
电压
硅
纳米技术
图层(电子)
物理
电信
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Ralph Makhoul; Nour Beydoun; Abdelhakim Bourennane; Luong Viêt Phung; Mihai Lazar; et al 出版日期:2023-09-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)